พิมพ์:ตัวเก็บประจุเซรามิก
ความจุ:1.0uF
จัดอันดับแรงดันไฟฟ้า:25Vdc
พิมพ์:ตัวเก็บประจุเซรามิก
ความจุ:10nF
จัดอันดับแรงดันไฟฟ้า:50VDC
พิมพ์:ตัวเก็บประจุเซรามิก
จัดอันดับแรงดันไฟฟ้า:25Vdc
ความยาว:3.2 ±0.15 มม.
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความต้านทาน:1KΩ
ความยาว:1.6 ±0.10 มม.
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความต้านทาน:1KΩ
ความยาว:1.6 ±0.10 มม.
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความต้านทาน:100kΩ
ความยาว:1.6 ±0.10 มม.
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความยาว:3.2 ±0.10 มม.
ช่วงความต้านทาน (uF):1Ω-10MΩ
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความยาว:3.2 ±0.10 มม.
ช่วงความต้านทาน (uF):1Ω-10MΩ
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความต้านทาน:4007Ω
ความยาว:2.0 ±0.10 มม.
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความต้านทาน:1000kΩ
ความยาว:1.6 ±0.10 มม.
พิมพ์:ตัวต้านทานชิป
ความยาว:1.6 ±0.10 มม.
ช่วงความต้านทาน (uF):1Ω-10MΩ
ความยาว:2.0 ±0.10mm
ประเภทแพ็คเกจ:X7R
วัสดุ:เซรามิค